Mục lục
Giữa tháng Sáu vừa qua, Samsung lần đầu tiên công bố module DRAM MRDIMM cải tiến đạt tốc độ đến 8.8Gb/s, hướng đến các dòng máy tính hiệu năng cao.
“MRDIMM” là viết tắt của “Multi-Ranked Buffered Dual In-Line Memory Module” – Mô-đun bộ nhớ nội tuyến kép có bộ đệm đa cấp. Nó cung cấp nhiều bộ nhớ và băng thông hơn mà không cần tăng khe cắm bộ nhớ trên bo mạch chủ.
Module này tăng gấp đôi băng thông của các thành phần DRAM hiện có bằng cách kết hợp h2 DDR5, mang lại tốc độ truyền lên đến 8.8GB/s. Samsung MRDIMM được phát triển để đón đầu nhu cầu cho các ứng dụng AI yêu cầu Điện toán hiệu năng cao (HPC) để xử lý dữ liệu và thực hiện các thuật toán phức tạp ở tốc độ cao.
Tính năng và lợi ích
Với MRDIMM, CPU có thể truy cập đồng thời hai cấp bộ nhớ trên một DIMM duy nhất bởi bố cục bộ chip dồn hai DIMMS DDR5 giống hệt nhau. Lợi ích của thiết kế này là các DRAM dự kiến sẽ không hoạt động ở tần số xung nhanh hơn. Bằng cách truy cập đồng thời hai DRAM, CPU có thể tăng gấp đôi băng thông bộ nhớ đến từ DIMM một cách hiệu quả.
Bằng cách sử dụng bộ đệm dữ liệu mux đặc biệt trên DRAM, nó có thể truy cập đồng thời vào cả hai DIMM, nhờ đó tăng gấp đôi tốc độ dữ liệu đến server.
Tóm lại
MRDIMM thế hệ đầu tiên của Samsung Memory cung cấp tốc độ truyền dữ liệu lên tới 8,8 Gb/s. Samsung hiện đang thử nghiệm các thiết bị MRDIMM Mono 16Gb với hiệu suất, công suất và mức tiêu thụ điện năng được nâng cao. Với giải pháp bộ nhớ cải tiến này , Samsung đang thúc đẩy biên giới tiếp theo về xử lý Trí tuệ nhân tạo (AI), Học máy (ML) và Mô hình ngôn ngữ lớn (LLM).
